Het Paul Scherrer Instituut (PSI) in Villegen (Zwitserland) heeft een röntgenmicroscoop met een zeer hoog oplossend vermogen ontwikkeld. Deze eigenschap maakt het voor het eerst mogelijk de interne structuur van halfgeleiders en cellen gedetailleerd weer te geven.

Volgens het PSI kunnen met de microscoop zeer kleine gebreken of afwijkingen in het nano bereik ontdekt worden.

De analyse van deze gebreken of afwijkingen bij halfgeleiders (waarbij het gaat om structuren met afmetingen van minder dan 100 nanometer) zal bijdragen aan de verbetering van de kwaliteit hiervan.

Bij het onderzoeken van cellen kan met de microscoop bijvoorbeeld de groei van kankercellen zeer gedetailleerd in beeld worden gebracht.

Bron: Baslerstab, Daniel Alleman / VZI
Datum: 8 augustus 2008
Website: http://www.vzi.nl/